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AON7436是一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（3x3）封装，专为高效率、高密度电源解决方案而设计。其核心优势在于极低的导通电阻（19mΩ @ 10V, 9A）与优化的开关特性（栅极电荷仅15nC），这显著降低了导通损耗和开关损耗，有助于提升系统整体能效。

该器件额定漏源电压为20V，在管壳温度（Tc）条件下可支持高达23A的连续电流，具备强大的功率处理能力。其1.8V的低驱动电压使其能够被现代低压微控制器或逻辑电路直接、高效地驱动，简化了驱动电路设计。这些特性使其成为负载开关、DC-DC转换及电机控制等应用的理想选择。

• 型号:AON7436
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 9A/23A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta），23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:630 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），16.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• AON7436，AOS产品一站式供应商。