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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON6974是AOS推出的一款双N沟道功率MOSFET阵列,采用8-PowerVDFN封装,专为高密度、高效率的电源转换应用而设计。其核心优势在于集成了两个逻辑电平驱动的N-MOSFET,构成半桥结构,极大简化了电路布局。
器件关键参数表现突出:30V的漏源电压提供稳健的耐压保障;在10V驱动下,仅5.2毫欧的超低导通电阻有效降低了传导损耗;22.5nC的低栅极电荷则利于实现高速开关,减少开关损耗。这些特性使其能够支持高达30A的连续电流,并适应-55°C至150°C的宽结温范围,确保在紧凑空间内实现可靠的功率处理。

基本参数:

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