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AOD516 零件图片(仅供参考)

AOD516
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AOD516 规格参数

AOD516是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-252封装,专为高效功率转换设计。其核心优势在于极低的导通电阻(5mΩ @ 10V, 20A)与优化的开关特性(栅极电荷Qg仅33nC @ 10V),这共同确保了在同步整流和开关电源等应用中实现低导通损耗与高开关频率的平衡。

该器件额定电压30V,在管壳温度下可持续通过高达46A的电流,并支持-55°C至175°C的宽工作结温范围,具备出色的电流处理能力与热可靠性。其2.2V的阈值电压使其兼容多种逻辑电平驱动,便于电路设计。这些参数使其成为紧凑型DC-DC转换器、电机驱动及负载管理等应用的优选功率开关解决方案。

  • 型号:AOD516
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-252(DPAK)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO252
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A(Ta),46A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):33 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1229 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),50W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-252(DPAK)
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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AOD516 基本参数:

  • 电子零件型号:AOD516
  • 原始制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,万代半导体)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO252
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询AOD516的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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