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零件图片(仅供参考)
AOD516
规格参数

AOD516是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-252封装,专为高效功率转换设计。其核心优势在于极低的导通电阻(5mΩ @ 10V, 20A)与优化的开关特性(栅极电荷Qg仅33nC @ 10V),这共同确保了在同步整流和开关电源等应用中实现低导通损耗与高开关频率的平衡。

该器件额定电压30V,在管壳温度下可持续通过高达46A的电流,并支持-55°C至175°C的宽工作结温范围,具备出色的电流处理能力与热可靠性。其2.2V的阈值电压使其兼容多种逻辑电平驱动,便于电路设计。这些参数使其成为紧凑型DC-DC转换器、电机驱动及负载管理等应用的优选功率开关解决方案。

  • 制造商产品型号:AOD516
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO252
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):18A(Ta),46A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):33nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1229pF @ 15V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),50W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:TO-252,(D-Pak)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOD516
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO252
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD516的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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