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AO3422是AOS推出的一款N沟道MOSFET，采用SOT-23-3L封装，专为空间受限且要求高效率的应用而设计。其核心优势在于55V的漏源电压（Vdss）和低至160毫欧（@4.5V Vgs）的导通电阻（Rds(on)），这确保了器件在承受较高电压的同时，能显著降低导通损耗，提升系统整体能效。

该器件具备2.1A的连续漏极电流（Id）处理能力，并支持宽泛的-55°C至150°C结温工作范围。其低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性优化了开关性能，适合高频开关应用。此外，其2.5V至4.5V的低电压驱动特性使其能轻松兼容现代低压逻辑电路，简化了驱动设计，是便携设备电源管理、DC-DC转换及电机控制等应用的可靠选择。

• 型号:AO3422
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 2.1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.25W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:3-SMD，SOT-23-3 变式
• AO3422，AOS产品一站式供应商。