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零件图片（仅供参考）
AON6578
规格参数

AON6578是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和20A Id条件下，Rds(On)最大值仅为4.4毫欧，这能有效降低传导损耗，提升电源转换效率。

该器件额定漏源电压为30V，连续漏极电流在Tc条件下可达70A，具备强大的功率处理能力。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为30nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗，适用于高频开关应用。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各种环境下的高可靠性。

  • 制造商产品型号：AON6578
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 28A/70A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：28A（Ta），70A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.4 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：30nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1340pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：5.6W（Ta），35W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON6578
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 28A/70A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6578的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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