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AOW20C60 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-262 封装，专为高压、大电流开关应用而设计。其核心优势在于 600V 的漏源电压（Vdss）和 20A（Tc）的连续漏极电流处理能力，结合优化的低导通电阻特性，旨在降低导通损耗，提升系统能效。

该器件在动态参数上亦有良好表现，其栅极电荷和输入电容经过平衡，有助于减少开关损耗并简化驱动设计。高达 463W（Tc）的功率耗散能力和 150°C 的最大结温，确保了其在严苛热环境下的可靠性与长寿命，适用于对效率和鲁棒性有较高要求的工业级电源与驱动解决方案。

• 制造商产品型号：AOW20C60
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 20A TO262
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：74nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3440pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：463W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-262
• AOW20C60，AOS产品一站式供应商。