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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOW20C60 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-262 封装，专为高压、大电流开关应用而设计。其核心优势在于 600V 的漏源电压（Vdss）和 20A（Tc）的连续漏极电流处理能力，结合优化的低导通电阻特性，旨在降低导通损耗，提升系统能效。
该器件在动态参数上亦有良好表现，其栅极电荷和输入电容经过平衡，有助于减少开关损耗并简化驱动设计。高达 463W（Tc）的功率耗散能力和 150°C 的最大结温，确保了其在严苛热环境下的可靠性与长寿命，适用于对效率和鲁棒性有较高要求的工业级电源与驱动解决方案。
基本参数：
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