AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT66616L是AOS公司基于AlphaSGT技术平台开发的N沟道MOSFET，采用标准的TO-220通孔封装。其核心优势在于优异的静态与动态性能平衡，在60V的漏源电压（Vdss）规格下，提供了极低的导通电阻（典型3.2mΩ @10V）和栅极电荷（最大60nC @10V），这直接转化为更低的传导损耗和开关损耗，提升了电源系统的整体效率。
该器件具备强大的电流处理能力，在壳温条件下连续漏极电流（Id）可达140A，并支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了在高负载及恶劣温度环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为中高功率开关电源、电机驱动和功率分配等应用的理想选择。
基本参数：
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