AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6370_002是AOS公司推出的一款N沟道MOSFET，隶属于aMOS产品系列。该器件采用8-DFN封装，在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，提供了优异的电流处理能力，其连续漏极电流在环境温度下为23A，在管壳温度下可达47A。
其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和20A Id条件下，Rds(On)最大值仅为7.2毫欧，这能显著降低功率应用中的传导损耗。同时，较低的栅极电荷（13nC @10V）和输入电容支持高效的开关操作。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高可靠性和高效率的电源管理解决方案。
基本参数：
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