AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
我们为全球各个行业提供AOS AOTF10N65及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF10N65是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装。其核心参数包括650V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其优异的动态与静态性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs下典型值仅为1欧姆，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值33nC）确保了快速的开关瞬态，有利于提升开关电源的工作频率和效率。这些特性使其成为工业电源、电机驱动等高要求功率转换应用的理想选择。
基本参数：
AOS（万代半导体）全球授权代理商现货库存实时更新中，欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询