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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD8N25是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。该器件核心参数包括250V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id），提供了稳健的功率处理能力。
其关键优势在于优异的导通与开关性能。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）低至560毫欧，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（7.2nC）和输入电容支持高速开关操作，有助于提升开关电源等应用的频率和效率。器件工作结温范围宽达-50°C至150°C，确保了在各种环境下的可靠性。
基本参数：
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