AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4801是AOS公司生产的一款双P沟道功率MOSFET阵列，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件集成了两个独立的P沟道MOSFET，最大漏源电压为30V，在25°C环境温度下可支持5A的连续漏极电流。
其核心优势在于优异的导通与开关性能。在10V Vgs和5A Id条件下，导通电阻低至48毫欧，有效降低了功率传导损耗。同时，极低的栅极电荷（7nC @ 4.5V）和输入电容确保了快速的开关速度与较低的驱动损耗，有助于提升整体系统效率。器件工作结温范围宽（-55°C ~ 150°C），适用于对空间和能效有严格要求的紧凑型电源管理设计。
基本参数：
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