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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD407是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心电气规格包括60V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id）能力，确保了在中等功率应用中的稳健表现。
该器件的关键优势在于其优异的导通特性，在10V栅极驱动下导通电阻（Rds(on)）最大值仅为115毫欧，能有效降低导通损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）低至20nC，有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗，提升系统整体效率。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和高达50W（Tc）的功率耗散能力，使其能够适应各种环境要求苛刻的应用场景。
基本参数：
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