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零件图片（仅供参考）
AON6362FH
规格参数

AON6362FH是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（5x6）表面贴装封装。该器件设计用于30V电压环境，在管壳温度（Tc）下可支持高达60A的连续漏极电流，展现出强大的电流处理能力。

其核心优势在于极低的功率损耗。器件具备仅5.2毫欧（@10V，20A）的导通电阻，能显著降低传导损耗。同时，13nC（@10V）的低栅极电荷与820pF（@15V）的输入电容相结合，确保了快速的开关速度，有效控制开关损耗。这些特性使其成为提升系统效率的关键元件，适用于高频率、高功率密度的电源转换应用。

  • 制造商产品型号：AON6362FH
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 27A/60A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：最後
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：27A（Ta），60A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.2 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：13nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：820pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：6.2W（Ta），31W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON6362FH
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 27A/60A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6362FH的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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