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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT9N70 是 AOS 公司生产的一款 N 沟道 MOSFET，采用 TO-220 封装，专为高压、高功率应用设计。其核心优势在于700V 的高漏源耐压和9A 的连续漏极电流能力，为电源和电机驱动系统提供了坚实的电压与电流基础。
该器件通过优化技术实现了仅 1.2 欧姆的低导通电阻（@10V, 4.5A），有效降低了导通损耗。同时，其35nC 的低栅极电荷（@10V）特性有助于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升整体系统效率。这些特性使其成为开关电源、工业驱动等高性能应用的理想选择。
基本参数：
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