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AOT4N60是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，专为高压开关应用而优化。其核心参数包括600V的漏源电压(Vdss)和4A的连续漏极电流(Id)，提供了稳固的电压阻断和电流处理能力。

该器件的关键优势在于其良好的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(on))最大值为2.2欧姆@2A，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷(Qg, 最大18nC)和输入电容(Ciss)确保了快速的开关瞬态，有利于提升系统频率和效率。其宽泛的结温工作范围(-55°C ~ 150°C)也增强了环境适应性。

• 型号:AOT4N60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:615 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:104W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• AOT4N60，AOS产品一站式供应商。