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零件图片（仅供参考）
AOT4N60
规格参数

AOT4N60是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，专为高压开关应用而优化。其核心参数包括600V的漏源电压(Vdss)和4A的连续漏极电流(Id)，提供了稳固的电压阻断和电流处理能力。

该器件的关键优势在于其良好的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(on))最大值为2.2欧姆@2A，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷(Qg, 最大18nC)和输入电容(Ciss)确保了快速的开关瞬态，有利于提升系统频率和效率。其宽泛的结温工作范围(-55°C ~ 150°C)也增强了环境适应性。

  • 制造商产品型号：AOT4N60
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 4A TO220
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.2 欧姆 @ 2A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：615pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：104W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-220
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOT4N60
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 4A TO220
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOT4N60的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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