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零件图片（仅供参考）
AON6232A
规格参数

AON6232A是一款N沟道MOSFET，采用8-DFN封装，专为高功率密度和高效率应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs下典型值仅为2.9毫欧，这能显著降低功率转换过程中的传导损耗。

该器件额定漏源电压为40V，具备高电流处理能力，连续漏极电流在管壳温度下可达85A。其栅极驱动特性优异，栅极电荷低至60nC，支持快速开关，有助于提升系统整体频率和效率。宽工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。

  • 制造商产品型号：AON6232A
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 40V 35A/85A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：35A（Ta），85A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.9 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：60nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3250pF @ 20V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：6.2W（Ta），113.5W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON6232A
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 40V 35A/85A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6232A的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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