AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON3806是AOS推出的一款双N沟道共漏极逻辑电平功率MOSFET阵列，采用8-DFN表面贴装封装。该器件集成了两个独立的N沟道MOSFET，最大额定值为20V漏源电压和6A连续漏极电流，专为高效、紧凑的电源管理解决方案而设计。
其核心优势在于极低的导通电阻，在4.5V栅极驱动下典型值仅为26毫欧@6.8A，能显著降低传导损耗。同时，1.1V的最大栅极阈值电压使其可直接由3.3V/5V逻辑电路驱动，简化了系统设计。低至9nC的栅极电荷和500pF的输入电容确保了出色的高频开关性能，适用于空间受限的同步整流、负载开关及电机驱动等应用。
基本参数：
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