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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOW10T60是AOS公司生产的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-262通孔封装。其核心电气规格包括600V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
该器件的关键性能参数突出表现在其导通与开关特性上：在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至700毫欧（@5A），有助于降低导通损耗；同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为35nC（@10V），有利于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。这些特性使其在要求高效率的功率转换设计中具有实用价值。
基本参数：
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