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零件图片(仅供参考)
AOD482
规格参数

AOD482是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-252(D-Pak)表面贴装封装。其核心优势在于100V的漏源击穿电压(Vdss)低至37毫欧的导通电阻(Rds(on)),这确保了器件在中压应用中具备出色的耐压能力和高效的导通性能,能有效降低传导损耗。

此外,该器件具备低栅极电荷(Qg,最大值44nC)宽泛的工作结温范围(-55°C至175°C)。这些特性使其能够实现快速开关,减少开关损耗,并适应苛刻的环境温度条件。结合其强大的电流处理能力(壳温下连续电流达32A),AOD482为设计高可靠性、高功率密度的电源转换和电机驱动解决方案提供了理想的选择。

  • 制造商产品型号:AOD482
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 5A/32A TO252
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):5A(Ta),32A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):37 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):44nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2000pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),100W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:TO-252,(D-Pak)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOD482
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 100V 5A/32A TO252
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD482的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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