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AOD482是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心优势在于100V的漏源击穿电压（Vdss）和低至37毫欧的导通电阻（Rds(on)），这确保了器件在中压应用中具备出色的耐压能力和高效的导通性能，能有效降低传导损耗。

此外，该器件具备低栅极电荷（Qg，最大值44nC）和宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）。这些特性使其能够实现快速开关，减少开关损耗，并适应苛刻的环境温度条件。结合其强大的电流处理能力（壳温下连续电流达32A），AOD482为设计高可靠性、高功率密度的电源转换和电机驱动解决方案提供了理想的选择。

• 型号:AOD482
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 5A/32A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Ta），32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:37 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD482，AOS产品一站式供应商。