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AOWF10T60P是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-262F通孔封装。其核心电气参数包括600V的漏源击穿电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），为高电压开关应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其良好的导通特性，在10V驱动电压、5A电流条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为700毫欧，有助于降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值为40nC，有利于实现高效的快速开关，减少开关损耗。这些特性使其成为工业电源、电机驱动等要求高效率和高可靠性的功率转换电路的理想选择。

• 制造商产品型号：AOWF10T60P
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 10A TO262F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：700毫欧 @ 5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1595pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：28W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-262F
• AOWF10T60P，AOS产品一站式供应商。