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AOB42S60L是AOS公司推出的一款采用aMOS技术的N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。其核心电气规格定义了强大的性能基础：600V的漏源电压（Vdss）和37A（Tc）的连续漏极电流，使其能够胜任高压大电流的开关任务。

该器件的关键优势在于其低损耗特性。在10V驱动下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为109毫欧（@21A），配合最大值40nC（@10V）的低栅极电荷（Qg），共同确保了较低的传导损耗与开关损耗。这些参数使其成为追求高效率、高功率密度设计的理想选择，尤其适用于开关电源、电机驱动和工业电源等应用领域。

• 型号:AOB42S60L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 37A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):37A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:109 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2154 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:417W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB42S60L，AOS产品一站式供应商。