AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
我们为全球各个行业提供AOS AOB42S60L及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB42S60L是AOS公司推出的一款采用aMOS技术的N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。其核心电气规格定义了强大的性能基础：600V的漏源电压（Vdss）和37A（Tc）的连续漏极电流，使其能够胜任高压大电流的开关任务。
该器件的关键优势在于其低损耗特性。在10V驱动下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为109毫欧（@21A），配合最大值40nC（@10V）的低栅极电荷（Qg），共同确保了较低的传导损耗与开关损耗。这些参数使其成为追求高效率、高功率密度设计的理想选择，尤其适用于开关电源、电机驱动和工业电源等应用领域。
基本参数：
AOS（万代半导体）全球授权代理商现货库存实时更新中，欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询