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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF8T50P 是 AOS 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-220-3F 通孔封装。其核心电气参数包括 500V 的漏源电压（Vdss）和 8A 的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
该器件在 10V 驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值为 810 毫欧 @ 4A，有助于降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为 19nC，输入电容（Ciss）约为 905pF，这些特性共同优化了开关性能，有利于提升高频开关电源的效率。其设计工作结温范围为 -55°C 至 150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。
基本参数：
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