AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF42S60L是一款采用TO-220-3F封装的N沟道功率MOSFET，隶属于AOS的aMOS产品系列。其核心特性包括高达600V的漏源电压（Vdss）和39A的连续漏极电流（Id）处理能力，适用于高压大电流应用环境。
该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至99毫欧（@21A），能显著降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为40nC（@10V），有利于实现快速开关并减少驱动损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和37.9W的功率耗散能力，确保了其在各类功率转换设计中的稳定性和可靠性。
基本参数：
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