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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT1606L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用标准的TO-220通孔封装。该器件的核心电气特性包括60V的漏源击穿电压（Vdss），以及在10V Vgs、20A Id条件下仅6.3毫欧的最大导通电阻，这为其带来了优异的高效电能转换能力。
器件在25°C环境温度下可连续通过12A电流，并在良好的散热条件下支持高达178A的峰值电流，展现出强大的功率处理潜力。其3.7V的最大栅极阈值电压便于逻辑电平驱动，102nC的栅极电荷与4500pF的输入电容参数，使其能够胜任中等频率的开关电源与电机控制应用。
基本参数：
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