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AON7292是一款采用DFN-8封装的N沟道功率MOSFET，隶属于AOS公司的AlphaMOS系列。其核心优势在于100V的漏源电压和极低的导通电阻（典型值24mΩ @ 10V Vgs），这确保了在高电流路径中实现最小的传导损耗，提升整体能效。

该器件设计兼顾了开关性能与驱动简便性，其最大栅极电荷仅为25nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。在壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流能力高达23A，最大功率耗散为28W，配合带裸露焊盘的紧凑型封装，提供了卓越的散热能力和功率密度，适用于空间受限的高性能应用场景。

• 型号:AON7292
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 9A/23A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta），23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1170 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），28W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• AON7292，AOS产品一站式供应商。