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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4466L是一款由AOS制造的N沟道MOSFET,采用8-SOIC表面贴装封装。其核心电气参数针对低压、大电流开关应用进行了优化,额定漏源电压为30V,连续漏极电流高达9.4A。
该器件的关键优势在于其优异的导通性能与开关特性平衡。在10V栅极驱动下,其导通电阻典型值低至23毫欧,能有效降低导通损耗。同时,最大17nC的栅极电荷与820pF的输入电容确保了快速的开关速度,有利于提升转换效率并降低开关损耗。其工作温度范围宽达-55°C至150°C,适用于要求苛刻的工业与消费电子环境。

基本参数:
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