
我们为全球各个行业提供AOS AON6973A及技术资料下载,帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片(仅供参考)

规格参数
AON6973A是AOS公司基于SRFET技术推出的一款双N沟道MOSFET阵列,采用8-PowerVDFN封装,集成了一个半桥结构。该器件针对高效率功率开关应用进行了优化,其核心优势在于极低的导通电阻(5.2mΩ @ 20A, 10V)和栅极电荷(22nC @ 10V),这直接带来了更低的传导与开关损耗。
作为逻辑电平器件,其2.2V的最大栅极阈值电压确保了与低压控制器的直接兼容性。该MOSFET具备30V的漏源电压和高达30A的连续漏极电流处理能力,工作结温范围宽达-55°C至150°C,适用于高密度、高可靠性的电源与电机驱动设计。

基本参数:

AOS(万代半导体)全球授权代理商现货库存实时更新中,欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线,包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询







