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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7516是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（3x3）表面贴装封装，核心优势在于优异的导通与开关性能平衡。其关键电气参数包括30V的漏源电压（Vdss），以及在10V Vgs下仅4.5毫欧的最大导通电阻，配合33nC的低栅极电荷，共同确保了在高频开关应用中的高效率与低损耗。
该器件在管壳温度（Tc）下可支持高达30A的连续漏极电流，最大功率耗散为25W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，具备良好的热性能和环境适应性。这些特性使其成为空间受限且要求高效率的电源管理解决方案，如同步整流、电机控制和负载开关等应用的优选器件。
基本参数：
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