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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6756_101是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能AlphaMOS产品系列。该器件采用8-DFN（5x6）表面贴装封装，核心电气参数包括30V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下高达36A的连续漏极电流（Id）能力。
其技术优势主要体现在极低的功率损耗上：在10V Vgs、20A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为2.4毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值被控制在64nC。这种低Rds(on)与低Qg的组合，使其能够同时优化传导损耗和开关损耗，显著提升电源转换效率。此外，器件内部集成的体二极管和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）进一步增强了其在严苛应用中的可靠性。
基本参数：
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