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零件图片（仅供参考）
AON6500
规格参数

AON6500 是一款采用 DFN5x6 封装的 N 沟道功率 MOSFET，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在 10V Vgs 下典型值仅为 0.95 毫欧，配合高达 200A (Tc) 的连续漏极电流能力，能够显著降低大电流路径中的传导损耗。

该器件同时具备优异的开关特性，栅极电荷 (Qg) 低至 145nC，有助于降低开关损耗并支持更高频率的开关操作。30V 的漏源电压 (Vdss) 和宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 150°C TJ) 确保了其在严苛的工业与通信环境下的可靠性与稳定性。

  • 制造商产品型号：AON6500
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N CH 30V 71A DFN5X6
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：71A（Ta），200A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：0.95 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：145nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7036pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：7.3W（Ta），83W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON6500
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N CH 30V 71A DFN5X6
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6500的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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