我们为全球各个行业提供AOS AON6500现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AON6500 是一款采用 DFN5x6 封装的 N 沟道功率 MOSFET，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻，在 10V Vgs 下典型值仅为 0.95 毫欧，配合高达 200A (Tc) 的连续漏极电流能力，能够显著降低大电流路径中的传导损耗。

该器件同时具备优异的开关特性，栅极电荷 (Qg) 低至 145nC，有助于降低开关损耗并支持更高频率的开关操作。30V 的漏源电压 (Vdss) 和宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 150°C TJ) 确保了其在严苛的工业与通信环境下的可靠性与稳定性。

• 型号:AON6500
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 30V 71A DFN5X6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):71A（Ta），200A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:0.95 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:145 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7036 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:7.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AON6500，AOS产品一站式供应商。