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零件图片(仅供参考)
AON6450
规格参数

AON6450是AOS公司SDMOS系列中的一款N沟道功率MOSFET,采用8-DFN(5x6)表面贴装封装。其核心电气参数包括100V的漏源电压(Vdss)额定值,以及在10V Vgs下低至14.5毫欧(最大值)的导通电阻,这确保了在开关和传导状态下的高效能表现。

该器件具备优异的电流处理能力,在管壳温度(Tc)25°C下连续漏极电流(Id)可达52A,同时栅极电荷(Qg)最大值仅为52nC,有利于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。其宽泛的工作结温范围(-55°C ~ 150°C)与高功率耗散能力(Tc下83W最大值),为各种功率转换与电机控制应用提供了可靠的解决方案。

  • 制造商产品型号:AON6450
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 9A/52A 8DFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:SDMOS
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):9A(Ta),52A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):7V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):14.5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):52nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3100pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.3W(Ta),83W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-DFN(5x6)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AON6450
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 100V 9A/52A 8DFN
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6450的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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