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AON3816是AOS公司生产的一款双N沟道共漏极功率MOSFET阵列，采用8-DFN表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻（22mΩ @ 4A, 4.5V）和逻辑电平门驱动特性（Vgs(th) ≤ 1.1V），能够被标准微控制器GPIO口直接驱动，有效简化电路并提升效率。

该器件具备20V的漏源耐压和2.5W的功耗能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温环境下的稳定性和可靠性。优化的栅极电荷（13nC）与输入电容参数支持快速开关，使其非常适用于空间紧凑、要求高效率的DC-DC转换、负载开关及电机驱动等应用场景。

• 型号:AON3816
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100pF @ 10V
• 功率 - 最大值:2.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SMD，扁平引线
• 供应商器件封装:8-DFN（3x3）
• AON3816，AOS产品一站式供应商。