AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON3816是AOS公司生产的一款双N沟道共漏极功率MOSFET阵列，采用8-DFN表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻（22mΩ @ 4A, 4.5V）和逻辑电平门驱动特性（Vgs(th) ≤ 1.1V），能够被标准微控制器GPIO口直接驱动，有效简化电路并提升效率。
该器件具备20V的漏源耐压和2.5W的功耗能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温环境下的稳定性和可靠性。优化的栅极电荷（13nC）与输入电容参数支持快速开关，使其非常适用于空间紧凑、要求高效率的DC-DC转换、负载开关及电机驱动等应用场景。
基本参数：
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