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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOTF20C60PL是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220-3F通孔封装。其核心电气规格包括600V的漏源击穿电压(Vdss)与20A的连续漏极电流(Id),为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
该器件在10V驱动电压下,导通电阻(Rds(on))典型值仅为250毫欧(@10A),同时栅极电荷(Qg)最大值控制在80nC,这有效优化了导通损耗与开关损耗的平衡。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C,最大功率耗散为45W,确保了在苛刻环境下的可靠性与稳定性,适用于开关电源、电机驱动等中高功率领域。

基本参数:

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