AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6403L_APP是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（5x6）封装，具备优异的散热性能。其核心电气特性表现为极低的导通电阻，在10V Vgs和20A Id条件下，Rds(On)最大值仅为3.1毫欧，这能显著降低功率损耗，提升系统效率。
该器件设计稳健，漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流在壳温（Tc）条件下高达85A。其栅极驱动兼容性好，阈值电压低，栅源电压耐受范围宽（±20V），确保了在开关电源、电机驱动等应用中的可靠性和快速响应。尽管产品状态为停产，其参数组合仍指向高功率密度和高效率的应用需求。
基本参数：
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