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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6162是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能AlphaSGT产品系列。该器件采用8-DFN-EP封装，额定漏源电压（Vdss）为60V，在壳温25°C下可承受高达100A的连续漏极电流，适用于高功率应用环境。
其核心电气参数表现突出，在10V栅极驱动下导通电阻（Rds(on)）低至2.1毫欧（@20A），能显著降低通态损耗。同时，栅极电荷（Qg）最大值为100nC，支持快速开关，有助于提升开关电源的频率和效率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为215W（Tc），确保了在严苛工况下的可靠运行。
基本参数：
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