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AOD504是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心电气特性包括25V的漏源电压（Vdss）额定值，以及在管壳温度（Tc）下高达46A的连续漏极电流处理能力，为设计提供了强大的功率承载基础。

该器件的关键优势在于其极低的功率损耗。其导通电阻（Rds(On)）在10V Vgs、20A Id条件下最大值仅为5毫欧，能显著降低导通状态下的能量损失。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为33nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗，从而提升整体电源转换效率。这些特性使其非常适合用于高效率的同步整流和DC-DC降压转换等应用。

• 型号:AOD504
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 18A/46A TO252
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta），46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1333 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD504，AOS产品一站式供应商。