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零件图片（仅供参考）
AOB2606L
规格参数

AOB2606L是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装，专为高效率功率开关应用而设计。其核心优势在于60V的漏源电压和极低的导通电阻，在10V Vgs、20A Id条件下最大Rds(On)仅为6.2毫欧，能显著降低传导损耗。

该器件具备出色的电流处理能力，在管壳温度25°C时连续漏极电流高达72A，并支持高达175°C的结温工作。其最大栅极电荷（Qg）为75nC，有助于实现快速的开关速度和降低驱动损耗，适用于开关电源、DC-DC转换器及电机驱动等对效率和可靠性要求较高的领域。

  • 制造商产品型号：AOB2606L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 13A/72A TO263
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Ta），72A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.2 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：75nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4050pF @ 30V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），115W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-263（DPak）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOB2606L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 60V 13A/72A TO263
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOB2606L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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