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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO9926B是AOS推出的一款双N沟道逻辑电平功率MOSFET,采用8-SOIC封装。该器件专为高效、紧凑的低压功率开关应用而设计,每个通道在25°C下可支持高达7.6A的连续漏极电流,漏源电压额定值为20V。
其核心优势在于极低的导通电阻,在10V栅极驱动下最大值仅为23毫欧,能显著降低导通损耗。同时,最大1.1V的栅极阈值电压使其可直接由3.3V或5V逻辑电路驱动,简化了系统设计。此外,低栅极电荷和输入电容确保了快速的开关性能。
结合2W的功耗能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围,AO9926B为负载开关、电机驱动和DC-DC转换等应用提供了可靠且高效的解决方案。

基本参数:

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