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AO9926B是AOS推出的一款双N沟道逻辑电平功率MOSFET，采用8-SOIC封装。该器件专为高效、紧凑的低压功率开关应用而设计，每个通道在25°C下可支持高达7.6A的连续漏极电流，漏源电压额定值为20V。

其核心优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动下最大值仅为23毫欧，能显著降低导通损耗。同时，最大1.1V的栅极阈值电压使其可直接由3.3V或5V逻辑电路驱动，简化了系统设计。此外，低栅极电荷和输入电容确保了快速的开关性能。

结合2W的功耗能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，AO9926B为负载开关、电机驱动和DC-DC转换等应用提供了可靠且高效的解决方案。

• 型号:AO9926B
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.6A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 7.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:630pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• AO9926B，AOS产品一站式供应商。