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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4771L是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET,采用8-SOIC表面贴装封装,集成了肖特基二极管以优化反向恢复性能。其核心电气参数包括30V的漏源电压(Vdss)和4A的连续漏极电流(Id),在Vgs=10V时导通电阻(Rds(on))最大值为68mΩ,确保了高效的功率传输和较低的通态损耗。
该器件具备良好的开关特性,栅极电荷(Qg)低至7nC (at 10V),输入电容(Ciss)为350pF (at 15V),支持快速开关操作,有助于降低高频应用中的开关损耗。其驱动电压范围(4.5V至10V)与标准逻辑电平兼容,简化了驱动电路设计。宽广的工作结温范围(-55°C ~ 150°C)使其能适应各种环境条件。

基本参数:
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