
我们为全球各个行业提供AOS AOD4120及技术资料下载,帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片(仅供参考)

规格参数
AOD4120是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-252(D-Pak)表面贴装封装,专为高效、紧凑的功率开关应用而设计。其核心优势在于低至18毫欧的导通电阻(@10V, 20A)与仅18nC的低栅极电荷(@10V),这共同确保了较低的传导损耗和出色的开关速度,有助于提升整体系统效率。
该器件额定漏源电压为20V,连续漏极电流高达25A(Tc),并支持宽泛的-55°C至175°C结温工作范围,具备良好的功率处理能力和环境适应性。其2.5V的低栅极驱动电压使其易于被标准逻辑电平驱动,简化了电路设计。这些参数使其成为同步整流、DC-DC转换、电机驱动及负载管理等应用的理想选择。

基本参数:
AOS被热门搜索和购买的相关器件型号


AOS(万代半导体)全球授权代理商现货库存实时更新中,欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线,包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询






