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AO3422L_103是AOS推出的一款N沟道MOSFET，采用SOT-23-3封装，专为空间和效率敏感型应用而优化。其核心优势在于55V的漏源电压和2.1A的连续电流能力，配合低至160毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，提升系统能效。

器件具备优异的开关特性，最大栅极电荷仅3.3nC，支持快速的开关频率，同时其2.5V至4.5V的低驱动电压使其易于被微控制器直接驱动。宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境下的可靠性，适用于DC-DC转换、负载开关及电机控制等场景。

• 制造商产品型号：AO3422L_103
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：55V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.1A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：160 毫欧 @ 2.1A，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：3.3nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：300pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.25W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：SOT-23-3
• AO3422L_103，AOS产品一站式供应商。