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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO6602_DELTA是一款集成N沟道与P沟道MOSFET的互补型功率开关阵列，采用SOT-457封装。其核心优势在于单芯片集成了一对性能匹配的MOSFET，N沟道和P沟道器件的导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs条件下分别低至50毫欧和100毫欧，有效降低了传导损耗。
该器件支持30V的漏源电压和最高3.5A的连续漏极电流，栅极驱动需求低（Vgs(th) ≤ 2.5V），且具备极低的栅极电荷（约5nC）和输入电容，确保了快速开关能力和与逻辑电平信号的直接兼容性。其宽工作结温范围（-55°C至150°C）和表面贴装形式，使其成为空间受限、要求高效率功率切换应用的理想选择。
基本参数：
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