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AO3413是一款由AOS制造的P沟道MOSFET，采用SOT-23-3L封装，专为空间受限的高密度设计而优化。其核心电气参数包括20V的漏源电压和3A的连续漏极电流处理能力，确保了在低压应用中的稳健性能。

该器件的关键优势在于其极低的导通电阻与出色的栅极驱动特性。在4.5V驱动电压下，其导通电阻低至97毫欧（最大值），能显著降低导通损耗。同时，其低至1V的栅极阈值电压和仅6.1nC的栅极电荷，使其能够被标准的低电压逻辑信号高效驱动，并实现快速的开关速度，非常适合高频开关电源和负载管理应用。

• 型号:AO3413
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3L
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:97 毫欧 @ 3A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:3-SMD，SOT-23-3 变式
• AO3413，AOS产品一站式供应商。