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零件图片（仅供参考）
AOTF286L
规格参数

AOTF286L是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。其核心电气参数定义了出色的性能表现：80V的漏源电压（Vdss）提供了充足的电压裕度；在10V Vgs条件下，仅6毫欧的最大导通电阻（Rds(on)）确保了极低的传导损耗；同时，63nC的最大栅极电荷（Qg）有利于实现高效的开关操作。

该器件具备强大的电流处理能力，在管壳温度（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达56A，结合高达37.5W（Tc）的功率耗散能力，使其适用于中高功率场景。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，保证了在各种环境下的稳定性和可靠性。这些特性共同构成了AOTF286L在高效率电源转换和电机驱动等应用中的核心价值。

  • 制造商产品型号：AOTF286L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 80V 13.5A/56A TO220
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：80V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：13.5A(Ta)，56A(Tc)
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：63nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3142pF @ 40V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.2W（Ta），37.5W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-220-3F
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOTF286L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 80V 13.5A/56A TO220
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOTF286L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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