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AOT20C60是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，核心电气参数针对高压开关应用进行了优化。其关键特性包括600V的漏源电压（Vdss）额定值，以及壳温25°C下20A的连续漏极电流（Id）能力，确保了在工业级电源和驱动系统中的高压耐受性与电流处理可靠性。

该器件在10V栅极驱动下具备较低的导通电阻，有助于降低导通损耗，提升能效。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和463W的最大功率耗散能力，使其能够适应要求严苛的热环境与功率等级。这些参数共同构成了其在开关电源、电机驱动等应用中的核心价值。

• 型号:AOT20C60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:74 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:463W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• AOT20C60，AOS产品一站式供应商。