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AOSP21321是AOS公司推出的一款P沟道MOSFET，采用8-SOIC封装，专为高效率功率开关应用而设计。其核心优势在于30V的漏源电压和11A的连续漏极电流承载能力，结合低至17毫欧（@10V Vgs）的导通电阻，能显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效。

该器件具备优异的开关特性，其最大栅极电荷仅为34nC，配合2.3V的栅极阈值电压，确保了快速开关响应和与低电压逻辑电路的兼容性，简化了驱动设计。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并支持表面贴装，为空间受限且要求高可靠性的工业与消费类电源管理、负载开关及电机控制应用提供了理想的解决方案。

• 型号:AOSP21321
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1180 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• AOSP21321，AOS产品一站式供应商。