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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7932是AOS公司生产的一款双N沟道MOSFET阵列，采用8-DFN表面贴装封装。该器件集成了两个逻辑电平门极的N沟道MOSFET，构成半桥结构，漏源电压（Vdss）为30V，在25°C下可提供6.6A/8.1A的连续漏极电流。
其核心优势在于优异的电气性能：导通电阻（RDS(on)）低至20毫欧（@10V，6.6A），能有效降低功率损耗；同时，极低的栅极电荷（Qg最大6.5nC）和输入电容确保了高效的开关性能，适合高频应用。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）则保障了其在各种环境条件下的可靠性。
基本参数：
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