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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7536是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（3.3x3.3）紧凑型封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、20A条件下典型值仅为4.2毫欧，配合高达68A（Tc）的连续漏极电流能力，能够显著降低功率应用中的传导损耗并提升电流处理密度。
器件具备优异的开关性能，最大栅极电荷（Qg）为40nC，有助于实现高速开关并降低驱动损耗。其30V的漏源电压（Vdss）和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ），使其成为同步整流、电机驱动和高效DC-DC转换器等应用的理想选择，尤其适用于对空间和效率有严格要求的便携式及嵌入式系统。
基本参数：
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