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AON7502 是一款采用8-DFN封装的N沟道功率MOSFET，其30V的漏源电压和高达30A（Tc）的连续漏极电流能力，使其成为中压、大电流应用的可靠解决方案。

该器件的核心卖点在于其极低的导通电阻，在10V Vgs下典型值仅为4.7毫欧（@20A），这能显著降低功率损耗并提升系统效率。同时，其22nC的低栅极电荷确保了快速的开关性能，适用于高频开关电源设计。

此外，AON7502 具备宽工作温度范围（-55°C至150°C）和稳健的±25V栅源电压耐受能力，为各种严苛环境下的电源转换、电机驱动和电池管理应用提供了高可靠性和设计灵活性。

• 型号:AON7502
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 21A/30A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta），30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1022 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），31W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• AON7502，AOS产品一站式供应商。