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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7502 是一款采用8-DFN封装的N沟道功率MOSFET，其30V的漏源电压和高达30A（Tc）的连续漏极电流能力，使其成为中压、大电流应用的可靠解决方案。
该器件的核心卖点在于其极低的导通电阻，在10V Vgs下典型值仅为4.7毫欧（@20A），这能显著降低功率损耗并提升系统效率。同时，其22nC的低栅极电荷确保了快速的开关性能，适用于高频开关电源设计。
此外，AON7502 具备宽工作温度范围（-55°C至150°C）和稳健的±25V栅源电压耐受能力，为各种严苛环境下的电源转换、电机驱动和电池管理应用提供了高可靠性和设计灵活性。
基本参数：
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