我们为全球各个行业提供AOS AON6404A现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AON6404A是AOS推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为要求高效率和高功率密度的应用而优化。其核心优势在于极低的导通电阻（典型值2.3mΩ @ 10V, 20A）与较低的栅极电荷（最大值40nC @ 10V），这共同确保了在开关电源和电机驱动等电路中实现更低的传导与开关损耗，从而提升整体系统效率。

该器件额定漏源电压为30V，具备强大的电流处理能力，在壳温条件下连续漏极电流高达85A，最大功率耗散可达83W（Tc），适用于高电流负载场景。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和±20V的栅源电压耐受能力，进一步保障了其在各种环境条件下的可靠性与鲁棒性。

• 型号:AON6404A
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 25A/85A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5210 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AON6404A，AOS产品一站式供应商。