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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6404A是AOS推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为要求高效率和高功率密度的应用而优化。其核心优势在于极低的导通电阻（典型值2.3mΩ @ 10V, 20A）与较低的栅极电荷（最大值40nC @ 10V），这共同确保了在开关电源和电机驱动等电路中实现更低的传导与开关损耗，从而提升整体系统效率。
该器件额定漏源电压为30V，具备强大的电流处理能力，在壳温条件下连续漏极电流高达85A，最大功率耗散可达83W（Tc），适用于高电流负载场景。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和±20V的栅源电压耐受能力，进一步保障了其在各种环境条件下的可靠性与鲁棒性。
基本参数：
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